简介： 本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法,包括如下步骤:采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素;所述注入采用至少三种不同的注入能量。由于离子注入的过程中的掺杂离子在基体中分布的浓度内外差别比较大,不利于获得掺杂均匀的材料。