简介： 本申请属于光电材料技术领域，尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中，铌酸锂晶体的制备方法，包括步骤：计算铌酸锂晶体生长的温度场结构；计算铌酸锂晶体的生长参数；将锂源和铌源进行混合干燥处理，得到混合原料；在空气氛围中，对混合原料进行烧结处理，得到铌酸锂多晶料块；在计算的温度场结构中，将铌酸锂多晶料块融化后，在籽晶的引导下，依据计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法，通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数，然后在计算的温度场结构中，依据计算的晶体生长参数，采用提拉法进行晶体生长，显著提高铌酸锂晶体的生长效率。