简介： 本发明提供一种基于金属硬掩模的铌酸锂薄膜光子芯片及其加工方法，该方法包括：S1，利用真空磁控溅射技术在铌酸锂薄膜表面沉积一层金属铬层；S2，在所述金属铬层上旋涂一层电子束抗蚀剂，通过电子束直写光刻将待加工的图案转移到所述电子束抗蚀剂上；S3，采用基于氯气的金属刻蚀工艺刻蚀所述金属铬层，形成金属硬掩模；S4，在所述金属硬掩模和电子束抗蚀剂双重保护下，通过反应离子刻蚀所述铌酸锂薄膜，实现微米量级光子芯片的加工。本发明具有加工精度高、刻蚀选择比高、结构深宽比好、结构表面污染水平低等优势，可用于铌酸锂薄膜上高精度、高光滑度的脊形波导、微环谐振腔等光子芯片的制造。