简介： 本发明提供钽酸锂单晶基板的制造方法，其即便在钽酸锂单晶基板的热处理中反复使用碳酸锂粉末，也能够抑制由钽酸锂单晶基板的还原不足导致的体积电阻率的增加。本发明是体积电阻率为1×1010Ω・cm以上且小于1×1012Ω・cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其包括：将体积电阻率为1×1012Ω・cm以上且单晶域结构的钽酸锂单晶基板填埋至BET比表面积为0.13m2/g以上的碳酸锂粉末中，并且，在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下进行热处理的工序，碳酸锂粉末是在常压下、350℃以上且居里温度以下的温度下的钽酸锂单晶基板的热处理时用于填埋钽酸锂单晶基板的使用过的碳酸锂粉末，进行热处理的工序中，开始热处理时，在非活性气体与还原性气体的混合气体气氛中进行热处理，在混合气体气氛中进行热处理后，在非活性气体的单一气体气氛中进行热处理。