简介:
本发明提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法,包括如下步骤:步骤1:在一表面平坦的铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形;步骤2:以掩膜图形为掩膜,采用氟基等离子体对掩膜图形及铌酸锂衬底进行同步刻蚀;步骤3:采用氧等离子体对铌酸锂衬底进行刻蚀以清除形成在铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒;步骤4:多次重复步骤2至步骤3,直至掩膜图形全部消失;步骤5:继续采用氟基等离子体刻蚀铌酸锂衬底,在铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底,图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。本发明还提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底,可降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本,能更有效地提高LED的发光亮度。
本发明提供一种具有图形化结构的铌酸
锂衬底的制造方法,包括如下步骤:步骤1:在一表面平坦的铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形;步骤2:以掩膜图形为掩膜,采用氟基等离子体对掩膜图形及铌酸锂衬底进行同步刻蚀;步骤3:采用氧等离子体对铌酸锂衬底进行刻蚀以清除形成在铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒;步骤4:多次重复步骤2至步骤3,直至掩膜图形全部消失;步骤5:继续采用氟基等离子体刻蚀铌酸锂衬底,在铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底,图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。本发明还提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底,可降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本,能更有效地提高LED的发光亮度。