简介： 本发明公开了一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法，其经过步骤(1)～(5)后得到近化学计量比铌酸锂晶体，且在步骤(3)中加入掺入量为0.3～2.0mol.％的Nd2O3或Er2O3，在步骤(4)中对Pt坩埚进行密封Pt坩埚，在步骤(5)中用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为1250～1350℃，接种温度为1100～1200℃，温度梯度为80～120℃，下降速度为1～3mm/h，待晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温；这样能得到较大和质量较高的晶体，铌酸锂晶体中－OH的量也较低，测定得到本发明得到的铌酸锂晶体中的稀土金属离子Nd和Er具有较长的荧光寿命，从具体实施结果比较，本发明得到的晶体，掺杂其中的稀土金属离子Nd和Er的荧光寿命比现有生长方法得到的晶体掺杂其中的Nd和Er的荧光寿命长3倍多。