简介： 本发明公开了一种原子层沉积制备磷酸锂薄膜的方法，其特征在于：本发明采用原子层沉积技术，载气气流将叔丁基锂脉冲冲入真空反应室与待镀基料发生化学自饱和吸附，并发生交换反应，在待镀基料表面生成锂置换前驱体，所述锂置换前驱体再与磷酸三甲酯发生还原反应，生成单层的磷酸锂薄膜。由于前驱体的化学吸附具有自饱和性，因此实现一个工艺周期完成一个单层磷酸锂薄层沉积，每重复一个工艺周期，则在前一个单层磷酸锂薄膜材料上层叠一个磷酸锂薄膜单层，通过控制工艺循环次数，精确控制磷酸锂薄膜的厚度。实现磷酸锂薄膜台阶覆盖率好，对于空间结构复杂的样品能够形成很好的包覆效果，镀层平整，均匀性强、稳定性高。克服了现有技术的不足。