简介： 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法,属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因,掺杂浓度低;在生长这种晶体的过程中,由于氟化钇锂熔点高,原料挥发严重,难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系,以稀土铒为激活离子,所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4,晶体基质为氟化钆锂;其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3=16.5～17∶7.76～8过量加入,晶体生长工艺参数确定为提拉速度:0.3～0.8mm/h,旋转速度:3～10rpm,生长温度:745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体,适用于大功率固体激光器。