简介： 本发明提供一种宽带温度不敏感和低色散的铌酸锂光波导结构，包括铌酸锂平板层，所述铌酸锂平板层上面设置有条状铌酸锂层；平板层和条状层铌酸锂上面有TiO₂覆盖层；平板层下面是SiO₂衬底层；本发明提出了利用具有负热光系数的TiO₂覆盖到刻蚀的铌酸锂芯片上获得对温度不敏感的宽带低色散光波导，该结构能够加工成各种集成光子器件，可以极大提升器件性能。