简介： 本发明涉及一种四硼酸锂压电晶体的制备方法特别是涉及一种大尺寸四硼酸锂压电晶体的制备方法。包括将先合成的四硼酸锂多晶料压成致密圆柱状料块,将料块装入事先已放入籽晶的PT坩埚并入炉,炉温控制在950～1000℃,坩埚下降速率为0.1～0.6MM/H,可生长出厚度30～80MM、宽度大于120MM、长度150MM以上的优质大单晶,再通过侧向加工即沿尺寸大的一侧作为晶棒轴向,小的一侧作为晶棒厚度方向加工,即可得大尺寸的四硼酸锂压电晶体型材。与传统下降法相比,本发明克服了传统下降法生长大尺寸四硼酸锂晶体时遇到的难接种、易漏坩埚、晶体易开裂等技术瓶颈,采用侧向生长和扁型坩埚设计,可提高晶体生长速率,从而降低晶体生长难度,有利于实现大尺寸四硼酸锂晶体的工业化生长。