简介： 一种铌酸锂起偏器芯片加工方法，包括如下步骤：1）对铌酸锂晶体进行切割，2）进行研磨抛光，3）采用质子交换退火工艺加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片；其改进在于：步骤1）中，进行切割时，切割面与铌酸锂晶体的Y轴方向平行，同时切割面与铌酸锂晶体的Z轴方向成一定夹角θ，0°＜θ＜90°；然后采用步骤2）、3）中的工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，最终获得起偏角度与波导面夹角成θ的铌酸锂起偏器芯片。本发明的有益技术效果是：在切割铌酸锂晶体时就完成了对铌酸锂起偏器芯片的起偏角度的调节，对切割工艺造成的影响仅在于调节切刀的角度，但却使耦合工艺的复杂度得到了大幅缩减，大大提高了耦合工艺的加工效率。