简介： 本发明公开了一种富含缺电子结构的秋兰姆基锂电正极材料及其制备方法。该锂电正极材料包括正极活性材料秋兰姆重组物；其中秋兰姆重组物中含有S‑S键并富含缺电子结构。其制备为：1)以TMTM为起始物，将其溶解于电解液中，之后滴加到碳纸上作为正极，负极为锂金属，得到锂‑秋兰姆电池；2)将锂‑秋兰姆电池，通过高压电化学氧化TMTM，原位得到富含缺电子结构的秋兰姆基锂电正极材料。本发明所得锂电正极材料在锂电池中表现出超长的循环性能，良好的倍率性及低温特性；制备方法简单，反应可控，有利于工业化生产。