简介： 一种提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性 的方法，包括如下步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合料块；将双面抛光或单面抛光的γ－LiAlO2或LiGaO2晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至800～1200℃，恒温50～100小时，Li2O扩散到γ－LiAlO2和LiGaO2晶片中，修复因Li的非化学剂量比挥发所导致的基片表层缺陷，缓慢降温，从而提高了γ－LiAlO2和LiGaO2晶片表层的晶格完整性。由于仅衬底表层的质量对其上的外延膜有直接影响，本发明克服了高质量γ－LiAlO2和LiGaO2单晶衬底难以解决的问题，可用于生长高质量InN－GaN外延膜。