简介： 铌酸锂晶体是一种光学材料，具有良好的电光性 能和非线性光学性能，在激光方面可以制作光调制 器、Q开关、光倍频器等器件。 但是，在较低功率密度激光照射下，铌酸锂晶体 会产生局部光致折射率的变化——光折变，限制了它 的应用。 本发明的特征在于通过控制投料配比的方法实 现了富锂高掺镁铌酸优质晶体的制备，得到了一个最 佳投料比，晶体性能很好。