简介： 本发明涉及一种高温固相-表面沉积法在钴酸锂正极表面沉积硅基薄膜的方法。该方法首先将含锂的前驱物与含钴的前驱物混合后置于玛瑙罐中,行星球磨,干燥,研磨后置于马弗炉中进行烧结得到钴酸锂粉末Li1+xCo1+yO2;称量94～96重量份的Li1+xCo1+yO2和2～3重量份的导电炭黑和2～3重量份的聚偏氟乙烯混合于N-甲基吡咯烷酮溶液中,搅拌获得的浆料涂布于铝箔上,干燥,得到钴酸锂正极片。将钴酸锂正极片作为沉积基板置于沉积腔中硅基源的正上方或周围进行沉积,得到表面沉积硅基薄膜的钴酸锂正极。采用本发明所述的方法,电池的充放电性能显著提高,改善效果不受钴酸锂制备的具体工艺影响,其应用性非常显著。