简介： 本发明公开了本发明提供了一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，包括如下步骤：在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu₃N薄膜，其中Cu₃N薄膜的厚度为10‑12nm；在Cu₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO₂薄膜，其中第一TiO₂薄膜的厚度为12‑15nm；在第一TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn₃N₄薄膜，其中Zn₃N₄薄膜的厚度为10‑12nm；在Zn₃N₄薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜，其中第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜的厚度为10‑12nm；在第一Li₄Ti₅O₁₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO₂薄膜，其中第二TiO₂薄膜的厚度为10‑12nm；在第二TiO₂薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe₃N薄膜，其中Fe₃N薄膜的厚度为7‑9nm；在Fe₃N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al₂O₃薄膜，其中Al₂O₃薄膜的厚度为7‑9nm；以及在Al₂O₃薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li₄Ti₅O₁₂薄膜。