简介:
本发明涉及一种生长大尺寸(Φ5英寸)钽酸锂单晶的方法,尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚,该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下:直径为Φ127mm,长度大于50mm,生长方向为:X112、Y36,质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求,成品率>75%。
本发明涉及一种生长大尺寸(Φ5英寸)钽酸
锂单晶的方法,尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚,该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下:直径为Φ127mm,长度大于50mm,生长方向为:X112、Y36,质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求,成品率>75%。