简介： 根据本发明的用于锂二次电池的负极包括：集电器；设置在所述集电器上的负极混合物层；通过原子层沉积(Atomic Layer Deposition)形成在所述负极混合物层上的锂扩散速率控制层；和设置在所述锂扩散速率控制层上的锂层。本发明提供一种用于对锂二次电池用的负极进行预锂化的方法和一种用于制造包括所述负极的锂二次电池的方法。根据本发明的负极包括位于锂薄膜和负极混合物层之间的锂扩散速率控制层，因此可以在预锂化工艺期间控制锂扩散速率，并且抑制锂的损失或锂的副反应，从而增强循环特性。此外，根据本发明的制造方法，通过藉由原子层沉积形成具有非常小的厚度的锂扩散速率控制层来制造锂二次电池，从而使锂扩散速率控制层中由于其材料特性而引起的电阻增加最小化。