简介： 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法,包括:提供铝酸锂晶片;用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面,形成多个平行的沟槽,得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比,本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底,通过改变飞秒激光的聚焦功率,可以调整沟槽的深宽比,与湿法或干法刻蚀相比,操作简单,更易获得较大深宽比的图形衬底。