有机晶体管、其制造方法及电子设备
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有机晶体管、其制造方法及电子设备
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备:设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131),设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132),和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133);当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时,W1、W2及W3满足W1、W2
本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备:设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131),设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132),和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133);当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时,W1、W2及W3满足W1、W2
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标签:真空冶金
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