简介:
本发明公开了一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:由触媒与高纯石墨按照质量比(60~70):(30~40)高温高压合成,所述触媒由Fe粉、Ni粉、Cu粉、Co粉、Ce粉和金刚石粉组成,采用通用工艺制备成合成芯柱。高温高压合成时,合成时间40‑50小时,得到3mm‑5mm的大尺寸典型(100)面籽晶。所述方法合成出的籽晶在高精度抛磨机上对其(100面)进行精密的抛磨加工,提高籽晶(100)晶面的表面光洁度,减少晶面缺陷,同时保证(100)晶面的偏离角小于5°,作为预置籽晶用以合成培育金刚石用。
本发明公开了一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:由触媒与高纯石墨按照质量比(60~70):(30~40)高温高压合成,所述触媒由Fe粉、Ni粉、Cu粉、Co粉、Ce粉和金刚石粉组成,采用通用工艺制备成合成芯柱。高温高压合成时,合成时间40‑50小时,得到3mm‑5mm的大尺寸典型(100)面籽晶。所述方法合成出的籽晶在高精度抛磨机上对其(100面)进行精密的抛磨加工,提高籽晶(100)晶面的表面光洁度,减少晶面缺陷,同时保证(100)晶面的偏离角小于5°,作为预置籽晶用以合成培育金刚石用。