简介： 本申请公开了一种多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用，属于光伏技术领域。该多晶硅半熔铸锭用坩埚，包括坩埚本体和喷涂在坩埚本体内部表面的氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为1mm‑2mm。该坩埚可防止坩埚本体中的杂质渗入多晶硅铸锭中，并且不会在多晶硅铸锭过程中脱落而与坩埚本体粘连；该坩埚的制备工艺简单，坩埚表面的氮化硅层光滑；使用该坩埚制备多晶硅锭的良率高。