简介： 本发明涉及一种制备碳化硅纳米线的方法，以硅矿、石英、废光纤、废石英和生 物质灰废料等含SiO2的废料为原料，以碳、竹炭、煤、废活性炭、焦煤和褐煤等为 还原剂，两者按摩尔比1∶0.5～6进行配比混合，经真空碳热还原，控制真空度 10-2～10-4Pa，温度700℃～2000℃，还原反应时间10min～2h，反应后自然冷却至室温， 再经700～900℃下灼烧及洗涤、过滤、干燥，制备得直径为30-120nm，长度在微米级 SiC纳米线。