简介:
本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法,采用生物质燃烧灰、粉煤灰、二氧化硅矿为原料,木炭、石油焦或煤为碳质还原剂,在真空炉内,进行碳热还原反应,生成一氧化硅气体,冷却后发生歧化反应生成球形纳米二氧化硅和球形纳米硅,经过氧化处理,生成高纯球形二氧化硅,其纯度大于99.99%,成球率达到90%以上,粒度分布均匀,粒径为50-200纳米之间,以满足电子、电器、化工产品的功能填料的需要。
本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法,采用生物质燃烧灰、粉煤灰、二氧化硅矿为原料,木炭、
石油焦或煤为碳质还原剂,在真空炉内,进行碳热还原反应,生成一氧化硅气体,冷却后发生歧化反应生成球形纳米二氧化硅和球形纳米硅,经过氧化处理,生成高纯球形二氧化硅,其纯度大于99.99%,成球率达到90%以上,粒度分布均匀,粒径为50-200纳米之间,以满足电子、电器、化工产品的功能填料的需要。