简介： 本发明涉及一种提纯硅废料制备高纯硅的方法,以含硅90%以上的块状的单晶硅尾料或埚底料作为原料,进行真空蒸发及定向冷凝精炼提纯处理,首先加热到原料的熔点以上,在真空状态下保温进行真空蒸发,去除易挥发的杂质,然后再拉伸冷却进行真空定向冷凝精炼提纯处理,使得金属杂质富集于一端,既除去了非金属杂质,又除去了金属杂质,制备得纯度在99.999%以上的高纯硅。