简介： 本发明涉及一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法，属于硅资源高值化再生利用技术领域。本发明基于硅片切割废料中高纯硅含量高、表面氧化和金属杂质富集表面的特点，提出硅片切割废料“真空熔炼精炼‑真空定向铸锭提纯”直接制备高纯硅的方法，即以新鲜硅片切割废料为原料，在隔氧或惰性气体下进行预处理，在真空条件下将硅片切割废料熔化、扒渣、精炼，再进行硅熔体的真空定向铸锭提纯，得到纯度6N级以上的高生硅产品。本发明所得的纯度6N级以上的高生硅产品可以直接或者兑掺用于单晶拉制与铸造单/多晶硅晶体生长，具有设备要求简单、无需添加剂、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产的优势。