简介： 本发明公开了一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法。所述可商业化生产的铜单晶片的制备方法，包括：利用定向凝固技术将多晶高纯铜块，熔炼制备得到大尺寸、横截面为不同晶面的铜单晶棒；将所述的单晶铜棒沿横截面方向进行线切割，得到上千片的铜单晶片；将所述铜单晶片的两面都进行机械与电化学抛光处理，得到取向一致、表面光滑的铜单晶片，包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶体取向。将得到的Cu(111)单晶片作为催化基底，利用CVD生长技术可以制备出大面积、高质量的单晶石墨烯。本发明所述的铜单晶片的制备方法具有制备工艺简单成熟、造价低、产率高、可商业化生产等特点，以Cu(111)单晶片为催化基底可以制备得到面积大、质量好的石墨烯单晶。