简介： 本发明涉及一种以高纯二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法，属于非金属矿深加工技术领域。以高纯H₂为还原剂、以高纯SiO₂为硅源，先在高温1250‑1300℃下通入H₂，使SiO₂被还原成SiO，O与H₂反应生成H₂O；然后再升温到1350℃通入H₂，把温度控制在1350‑1400℃之间。此时SiO被H₂还原成高纯Si，SiO中的O与H₂发生氧化还原反应后生成H₂O，整个制备过程对环境无任何污染。