简介： 基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法，本发明涉及基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法。本发明的目的是为了解决目前选择性激光烧结技术制备多孔SiC陶瓷时，成型件孔隙率低的问题。本发明方法为：绘制多孔SiC陶瓷的三维模型、设定SLS成型机的参数、混合SiC粉末、粘结剂粉末和造孔剂、制得陶瓷坯体、进行CIP包套然后冷等静压致密化处理，进行脱脂预烧结，再在有氧环境下进行烧结，即完成。操作简便，成型速度快，原料利用率高，有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率，最终成型件的孔隙率为70％～80％，且具备一定的强度。本发明应用于多孔SiC陶瓷的制备领域。