挤压法制备MoSi2-SiC-B复合陶瓷的方法
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挤压法制备MoSi2-SiC-B复合陶瓷的方法
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简介: 本发明公开了一种挤压法制备MoSi2-SiC-B复合陶瓷的方法,它的步骤如下:(1)将400目以上的元素粉Mo、Si、C和B及SiC粉末球磨混料,得到泥料;(2)将泥料反复练泥、静置、挤出调整,然后挤出成型,并在烘箱中于80-120℃烘干1-10小时,得到坯料;(3)将坯料放入铺有Si粉的坩埚中置入真空炉,冷却后得道MoSi2-SiC-B复合陶瓷。本发明利用元素粉Mo、Si、C和B及其SiC粉末为原料,获得MoSi2-SiC-B复合陶瓷。MoSi2-SiC-B复合陶瓷的密度保持在4.59g/cm3以上,适用于工业规模。
本发明公开了一种挤压法制备MoSi2-SiC-B复合陶瓷的方法,它的步骤如下:(1)将400目以上的元素粉Mo、Si、C和B及SiC粉末球磨混料,得到泥料;(2)将泥料反复练泥、静置、挤出调整,然后挤出成型,并在烘箱中于80-120℃烘干1-10小时,得到坯料;(3)将坯料放入铺有Si粉的坩埚中置入真空炉,冷却后得道MoSi2-SiC-B复合陶瓷。本发明利用元素粉Mo、Si、C和B及其SiC粉末为原料,获得MoSi2-SiC-B复合陶瓷。MoSi2-SiC-B复合陶瓷的密度保持在4.59g/cm3以上,适用于工业规模。
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标签:真空冶金
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