简介： 本发明公开的一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：将ZrO2、Y2O3、Ti粉末进行混粉处理，然后取出烘干得到混合粉末；将混合粉末进行造粒压样得到成型样品；将成型样品进行排胶烧结；将排胶烧结完成的成型样品放入真空炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料。本发明的一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法在ZrO2中掺杂Y2O3，可以在晶格中产生带正电的氧离子空位，从而提高ZrO2的导电性，ZrO2材料中晶界相主要是由原料中SiO2等杂质在烧结过程中向晶界偏析而形成的，Ti元素的掺杂，可使Ti元素富集在ZrO2晶界位置，在常温下晶界提供可自由移动的电子，使得导电性能大幅提高。