简介： 本发明涉及一种能降低污染的InSb单晶生长热场装置，包括单晶生长坩埚体和保温模块，单晶生长坩埚体包括石墨坩埚，石墨坩埚的内侧和外侧均固定安装石英坩埚层，石英坩埚层将石墨坩埚密封包裹在其内部；保温模块包括石英密封罩体，石英密封罩体内部密封设置保温碳毡；还包括惰性气体输送管，惰性气体输送管其出口位于单晶生长坩埚体的表面开口处，使得惰性气体输送管内的惰性气体经加热后吹散在液面和晶体表面，降低单晶生长坩埚体内的温度梯度；本发明消除了污染源，提高了单晶生长环境的清洁度；特殊的气体输送管路能减少液面和晶体表面的温度梯度，能生长出高质量低位错密度的单晶。