负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法
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负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法
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简介: 本发明公开了一种负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法,包括:1)制备烧结钕铁硼的黑片;2)采用磁控溅射方法对烧结钕铁硼黑片进行负载TiO2纳米晶体薄膜的制备:采用陶瓷TiO2靶,本底真空度低于3.5×10‑4Pa时开始溅射,氩气作为溅射气体,溅射过程中进行冷却;3)将负载TiO2纳米晶体薄膜的烧结钕铁硼黑片浸入含有铽和/或镝的悬浊液中采用涂覆法进行晶界扩散;4)晶界扩散完成后,进行热处理,热处理结束后,冷却到室温完成渗透过程。本发明将具有吸附特性的纳米材料与涂覆工艺耦合起来,增强了涂层的结合力,改善了涂层易脱落,涂层不均匀等缺点。
本发明公开了一种负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法,包括:1)制备烧结钕铁硼的黑片;2)采用磁控溅射方法对烧结钕铁硼黑片进行负载TiO2纳米晶体薄膜的制备:采用陶瓷TiO2靶,本底真空度低于3.5×10‑4Pa时开始溅射,氩气作为溅射气体,溅射过程中进行冷却;3)将负载TiO2纳米晶体薄膜的烧结钕铁硼黑片浸入含有铽和/或镝的悬浊液中采用涂覆法进行晶界扩散;4)晶界扩散完成后,进行热处理,热处理结束后,冷却到室温完成渗透过程。本发明将具有吸附特性的纳米材料与涂覆工艺耦合起来,增强了涂层的结合力,改善了涂层易脱落,涂层不均匀等缺点。
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标签:真空冶金
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