简介： 本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。