简介： 本发明公开了半导体材料硫化方法。本发明提供的方法包括以下步骤：将硫源与半导体材料置于不完全密封的容器，将所述不完全密封的容器置于反应器中加热进行硫化反应，得到硫化的半导体材料。本发明提供的半导体材料硫化方法可使半导体的晶粒尺寸变大，从而更好地晶化。对于作为太阳能电池吸收层材料的半导体，还可以使其衍射峰变强，并使其吸收更多的光。采用本发明提供的硫化方法对非晶硅太阳能吸收层材料进行硫化，可以使其带隙更加接近于硅材料的带隙。本发明提供的方法可以对被处理的半导体起到退火作用，特别适用于铜锌锡硫薄膜的硫化退火，且该方法中使用的装置简单，易于进行大规模生产。