简介： 本发明公开了一种全固态钽电解电容器器件及其ALD制备方法，制备方法包括：使用小电流密度对阳极钽块的Ta2O5介质层进行进一步补形成；使用ALD法在阳极钽块的Ta2O5介质层表面上沉积导电氧化物薄膜；使用导电碳浆、银浆及银丝对沉积的导电阴极层进行阴极电极引出。本发明采用ALD制备导电氧化物阴极薄膜的方法，避免传统液相法中酸性物质及强氧化剂等对Ta2O5介质层带来损害的同时，制备的氧化物阴极材料具有更高的电导率、良好的温宽性、更高的孔隙覆盖率、更强的附着力、大面积的均匀性及优良的致密性等特征，且该沉积过程中无还原性气体及等离子体对Ta2O5介质层产生损害，促进固态钽电解电容器朝小型化、高容量引出率、高频低阻抗及耐高温长寿命的全面发展。