简介： 本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。