简介： 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。