碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
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碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法,其特征在于,按重量百分数,包括下述组分:碳化硅粉末30%~45%、碳粉粉末5%~10%、硅粉35%~50%以及粘接剂酚醛树脂3%~12%。先将碳化硅粉末、碳粉以及硅粉粉末球磨湿混,得到混合粉末,加入粘接剂酚醛树脂造粒,模压成型,然后将成型生坯烘干后,放入空气炉中排胶。排胶完成后将其按照反应烧结工艺烧结,将反应烧结得到的制品在2000℃以上的高温下进行再结晶处理及排硅,得到单一物相的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有孔隙度可控、强度高,耐腐蚀性和热稳定性好的特点,可广泛用作高温气氛及腐蚀性气氛下的过滤材料,也可以用作化学反应的载体材料以及高温隔热。
本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法,其特征在于,按重量百分数,包括下述组分:碳化硅粉末30%~45%、碳粉粉末5%~10%、硅粉35%~50%以及粘接剂酚醛树脂3%~12%。先将碳化硅粉末、碳粉以及硅粉粉末球磨湿混,得到混合粉末,加入粘接剂酚醛树脂造粒,模压成型,然后将成型生坯烘干后,放入空气炉中排胶。排胶完成后将其按照反应烧结工艺烧结,将反应烧结得到的制品在2000℃以上的高温下进行再结晶处理及排硅,得到单一物相的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有孔隙度可控、强度高,耐腐蚀性和热稳定性好的特点,可广泛用作高温气氛及腐蚀性气氛下的过滤材料,也可以用作化学反应的载体材料以及高温隔热。
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标签:真空冶金
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