双向开关功率模块及其制备方法
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双向开关功率模块及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法,覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子,碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置,多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关,每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接,多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上,源极分别与功率端子连接,形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率,更好的可靠性,更低的热阻及良好的电气性能。
本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法,覆基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子,碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置,多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关,每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接,多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上,源极分别与功率端子连接,形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率,更好的可靠性,更低的热阻及良好的电气性能。
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标签:真空冶金
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