简介： 本发明属于磁性材料技术领域，具体涉及一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法，包括如下步骤：预处理；均匀涂层；热处理工艺；本发明特点在于通过先低温保温，让渗材进入富钕相中，再通过逐步提高扩散温度，保证在渗材较少量的进入主相的前提下，尽可能的让渗材扩散至磁体的中心部位，最后通过提高扩散温度，让富钕相中的渗材进入钕铁硼主相晶粒的外延层，从而提高钕铁硼主相晶粒的形核场，即提高产品矫顽力。