简介： 本发明公开了一种新型高磁电阻磁隧道结的制备方法，包括以下步骤：首先清洗Si衬底基片并烘干待用；然后在烘干后的Si衬底基片上沉积SiO2薄膜；在SiO2薄膜上磁控溅射沉积Ru/Fe3O4/Ru/CoFe/NiFe金属层；制备氧化镁靶材；采用上述制得的氧化镁靶材作为靶材，对磁控溅射腔抽真空，然后向该磁控溅射腔中通入一定量的氧气和氩气，在NiFe上沉积氧化镁薄膜；然后在氧化镁薄膜上溅射沉积NiFe/CoFe/Ru金属层，形成磁隧道结，最后放入真空中在180‑480℃下退火处理30‑150min，得到高磁电阻磁隧道结。该方法制得的磁隧道结磁电阻效应高，热稳定性好。