简介： 本发明公开了一种碳化硅晶须的合成工艺，包括稻草切碎酸洗、制备稻草炭和高温制备碳化硅晶须等步骤。利用稻草和硅粉可以得到以β型为主的SiCw，晶须以光滑、直晶为主，直径为20～100nm，晶须中含有孪晶等面缺陷。本发明可以提高废弃物稻草的利用率，避免稻草秸秆作为燃料燃烧而产生可吸入颗粒物等污染物的现状。