利用真空自耗电弧炉制备铜铬50电接触材料的方法
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利用真空自耗电弧炉制备铜铬50电接触材料的方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及一种利用真空自耗电弧炉制备铜铬50电接触材料的方法,利用新的方法制备出粒径在0.01~1微米之间的铜粉和Cr粉,相对于现有技术中所使用的铜粉和Cr粉来说粒径更小,选取所制备的Cu粉和Cr粉按照比例进行混合,利用冷等静压压制成棒料,经烧结后进行自耗熔炼成合金铸锭。在高温电弧的作用之下,自耗电极快速均匀的发生层状消熔并滴到水冷结晶器底部,配合结晶器外围快速的冷却速率实现CuCr(45%‑55%)合金铸锭的凝固,故得到均匀细小的CuCr合金组织。本发明是利用真空自耗电弧熔炼法制备Cr含量在45%‑55%(wt)的CuCr电触头材料,材料无气孔、疏松、夹杂、无Cu、Cr富集等宏观微观缺陷,并且Cu、Cr显微组织结构小于20um。
本发明涉及一种利用真空自耗电弧炉制备铬50电接触材料的方法,利用新的方法制备出粒径在0.01~1微米之间的铜粉和Cr粉,相对于现有技术中所使用的铜粉和Cr粉来说粒径更小,选取所制备的Cu粉和Cr粉按照比例进行混合,利用冷等静压压制成棒料,经烧结后进行自耗熔炼成合金铸锭。在高温电弧的作用之下,自耗电极快速均匀的发生层状消熔并滴到水冷结晶器底部,配合结晶器外围快速的冷却速率实现CuCr(45%‑55%)合金铸锭的凝固,故得到均匀细小的CuCr合金组织。本发明是利用真空自耗电弧熔炼法制备Cr含量在45%‑55%(wt)的CuCr电触头材料,材料无气孔、疏松、夹杂、无Cu、Cr富集等宏观微观缺陷,并且Cu、Cr显微组织结构小于20um。
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标签:真空冶金
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