钼钨溅射靶材及其制备方法
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钼钨溅射靶材及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种钼钨溅射靶材及其制备方法,其相对密度为99.0‑99.5%,氧含量为350‑600ppm,原料由纯度≥4N的三氧化钨粉和纯度≥3N的钼粉组成,且三氧化钨粉的含量为15‑20wt%,余量为钼粉,该三氧化钨粉的粒径为7‑10μm,该钼粉的粒径为4.5‑6.5μm。本发明适用于制备平面显示器,组织均匀,无孔洞,且氧含量低。
本发明公开了一种钼钨溅射靶材及其制备方法,其相对密度为99.0‑99.5%,氧含量为350‑600ppm,原料由纯度≥4N的三氧化钨粉和纯度≥3N的钼粉组成,且三氧化钨粉的含量为15‑20wt%,余量为钼粉,该三氧化钨粉的粒径为7‑10μm,该钼粉的粒径为4.5‑6.5μm。本发明适用于制备平面显示器,组织均匀,无孔洞,且氧含量低。
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标签:真空冶金
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