简介： 本发明属于脉冲功率半导体器件领域，更具体地，涉及一种快速离化器件及其制备方法。该快速离化器件包括依次相邻设置的金属化阴极、高掺杂n+区、阴极侧高掺杂p+短路点、p基区、n‑基区、n型促离化层、阳极侧高掺杂n+短路点、高掺杂p+区、金属化阳极。本发明通过在FID器件结构中引入较n‑基区更高的掺杂浓度的n型促离化层，通过限制n‑基区空间电荷区的扩展，进而限制了碰撞电离前沿需要穿越的区域宽度，减小了碰撞电离前沿穿越的范围，减少了碰撞电离前沿传播的时间，从而提高了器件的开通速度。