简介:
本发明公开了一种真空无压烧结碳化硼屏蔽材料的制备方法,包括以下步骤:(1)配料;(2)混粉;(3)化胶;(4)乳液配置;(5)造粒;(6)过筛;(7)压制;(8)排水脱胶;(9)烧结。本发明的制备工艺具有工艺简单、产能高、成本低廉,坯体烧结过后收缩量小、易于加工、适合批量化生产等特点;且突破了传统无压烧结只能制备薄壁碳化硼陶瓷块的限制,突破了传统无压烧结工艺必须采用1μm碳化硼作为原料的限制。
本发明公开了一种真空无压烧结碳化硼屏蔽材料的制备方法,包括以下步骤:(1)配料;(2)混粉;(3)化胶;(4)乳液配置;(5)造粒;(6)过筛;(7)压制;(8)排水脱胶;(9)烧结。本发明的制备工艺具有工艺简单、产能高、成本低廉,坯体烧结过后收缩量小、易于加工、适合批量化生产等特点;且突破了传统无压烧结只能制备薄壁碳化硼陶瓷块的限制,突破了传统无压烧结工艺必须采用1μm碳化硼作为原料的限制。