真空电子器件用钼棒及其制备方法
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真空电子器件用钼棒及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种真空电子器件用钼棒及其制备方法,所述钼棒化学成分为纯钼,钼含量不低于99.95重量%;直径20~90mm;相对密度≥99.5%;表面粗糙度优于0.2μm;抗拉强度≥600MPa、屈服强度≥550MPa、延伸率≥30%。本发明的钼棒材制备方法包括:高纯度钼粉为原料,制备冷等静压坯;氢气‑真空复合烧结;低温大变形量开坯;中间退火及校直加工;减径加工;碱洗、修磨;退火处理;机加工;最终得到组织成分均匀、致密度高、强韧性好的大直径规格、高强韧钼棒材,可作为大尺寸规格真空电子钼基器件加工原料。
本发明公开了一种真空电子器件用钼棒及其制备方法,所述钼棒化学成分为纯钼,钼含量不低于99.95重量%;直径20~90mm;相对密度≥99.5%;表面粗糙度优于0.2μm;抗拉强度≥600MPa、屈服强度≥550MPa、延伸率≥30%。本发明的钼棒材制备方法包括:高纯度钼粉为原料,制备冷等静压坯;氢气‑真空复合烧结;低温大变形量开坯;中间退火及校直加工;减径加工;碱洗、修磨;退火处理;机加工;最终得到组织成分均匀、致密度高、强韧性好的大直径规格、高强韧钼棒材,可作为大尺寸规格真空电子钼基器件加工原料。
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标签:真空冶金
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