简介： 一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×10－3Pa，基片温度控制在室温～450℃，调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，控制束流值在100mA～180mA，沉积时间为5min～120min。此种方法既可制备非晶态碳化硼薄膜，又可制备多晶结构的碳化硼薄膜，还可制备各种不同B、C成分配比的碳化硼薄膜，而且所制备的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均匀性良好。