铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法-真空冶金技术-冶金技术-技术-北方有色网

简介： 本发明涉及一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法，具体通过Cr掺杂在宿主材料AgGaS2的阳离子Ga位，以此形成的半导体化学分子式为AgGa1‑xCrxS2，式中0.008

本发明涉及一种铬掺杂硫镓银晶体实现多光子吸收的方法，具体通过Cr掺杂在宿主材料AgGaS2的阳离子Ga位，以此形成的半导体化学分子式为AgGa1‑xCrxS2，式中0.008太阳能电池的光电转换效率和光解水制氢活性，因此本材料有望改进传统半导体光学效率低下的问题，并有望成为新一代光催化制氢材料。